სპეციფიკაცია
ბრენდი: Samsung
მოდელი / კოდი: 990 PRO / MZ-V9P2T0BW
ტევადობა: 2 ტერაბაიტი (2 TB)
ფორმატი: M.2 2280
ინტერფეისი: PCIe 4.0 × 4, NVMe 2.0
ფლეშ მეხსიერება: Samsung V-NAND TLC
სიჩქარის მაჩვენებლები
წაკითხვის სიჩქარე (მაქს): 7 450 MB/s
წერის სიჩქარე (მაქს): 6 900 MB/s
შემთხვევითი წაკითხვა: 1 400 000 IOPS (4KB, QD32)
შემთხვევითი წერა: 1 550 000 IOPS (4KB, QD32)
ენერგომოხმარება და ფიზიკური პარამეტრები
ზომა: 80 მმ × 22 მმ × 2.3 მმ
წონა: დაახლოებით 9 გრამი
აქტიური მოხმარება: საშუალოდ 5.5 ვატი, პიკზე 8.5 ვატი
სამუშაო ტემპერატურა: 0 °C – 70 °C
დამატებითი მახასიათებლები
დაშიფვრა: AES 256-bit
მხარდაჭერილი ფუნქციები: TRIM, S.M.A.R.T., Dynamic Thermal Guard
წერის რესურსი (TBW): დაახლოებით 1 200 TB
დანიშნულება: გეიმინგი, გრაფიკული სამუშაოები, ვიდეომონტაჟი და მაღალი დატვირთვის სისტემები
There are no reviews yet.